米国半導体デバイス市場規模、シェア、競争環境、トレンド分析レポート：化合物別（GaN、GaAs、GaP、GaSb、Sic、その他）、製品別（LED、オプトエレクトロニクス、RFデバイス、パワーエレクトロニクス、その他）、用途別（エレクトロニクスおよび消費財、航空宇宙および防衛、通信、その他）： 2025年から2033年までの機会分析および業界予測
レポートID : ROJP0425571 |
最終更新 : 2025年04月 |
フォーマット : 
: 
: 
無料サンプル
米国半導体デバイス市場は、2024年から2033年までに91億7000万米ドルから822億米ドルに達すると予測されており、2025年から2033年の予測期間にかけて年平均成長率（CAGR）が 7.3％で成長すると見込まれています。
半導体デバイスは通常、半導体製造または集積回路（IC）製造と呼ばれる複雑な手順を経て製造されます。このプロセスには、特定の電気的挙動を持つ部品を形成するための半導体材料の精密な操作が含まれます。
市場ダイナミクス
市場を牽引する要因
アプリケーション需要の伸びが市場拡大を後押し
米国半導体デバイス市場の成長は、さまざまな業界にわたる先端アプリケーションの需要増に大きく影響されています。電気自動車(EV)、人工知能 (AI)、自律走行などの新興技術は、半導体メーカーに大きなビジネスチャンスをもたらしています。これらの技術は、AI処理から自動車の電動化や先進運転支援システム（ADAS）に至るまで、その機能性を高めるためにますます洗練されたチップを必要としています。このような需要は、業界リーダーにとって革新と市場プレゼンス拡大のための「グリーンフィールド機会」を促しています。また、世界の半導体エコシステムの主要プレーヤーである米国市場は、技術革新と生産能力でリードを続けており、こうした傾向から恩恵を受けています。半導体産業の成長は、民生用電子機器から産業用アプリケーションに至るまで、日常的に使用される機器やシステムへのチップの統合が進んでいることによってさらに支えられています。このような広範な採用は、半導体が現代技術の促進と経済成長の推進に果たす重要な役割を浮き彫りにしています。したがって、これらすべての要因が、予測期間中の米国市場の成長を後押ししています。
市場の制約
サプライチェーンの混乱が市場成長を阻害する可能性
米国の半導体デバイス市場は、半導体チップの大幅な不足につながるサプライチェーンの混乱が続いているという課題に直面しています。地政学的緊張、需要の変動、製造上の制約といった要因がサプライチェーンにボトルネックを生み出し、生産と納期の遅れをもたらしています。こうした混乱は、家電、自動車、電気通信など、半導体に依存するさまざまな産業に影響を及ぼし、技術革新の遅れや経済的後退につながります。メーカーが物流や原材料調達の課題に対処しながら、増大する需要を満たすために苦闘しているため、こうした問題の持続は市場の成長性を阻害する可能性があります。生産を現地化し、弾力性のあるサプライチェーンを構築するための努力は現在進行中だが、業界の長期的な成長軌道を維持するためには、こうした混乱を解決することが依然として重要です。したがって、これらすべての要因が、予測期間における米国市場の成長を妨げています。
市場機会
AIとIoTが米国半導体デバイス市場の成長を後押し
米国市場は、人工知能（AI）とモノのインターネット（IoT）の進歩によって加速度的に成長しています。機械学習やニューラルネットワークなどのAIアプリケーションには、膨大なデータ処理や分析に対応できる高性能および高効率チップが必要です。一方、スマートホームから産業用自動化に至るIoTアプリケーションでは、シームレスな接続性とリアルタイム通信を保証する、エネルギー効率の高い小型チップが求められます。これらの技術が業界を超えて統合されつつあることで、チップの設計と製造の革新が促進され、米国市場は先端半導体の進歩における世界的リーダーとして位置づけられています。この需要の急増は、AIとIoTが半導体技術の未来を形作る上で重要な役割を果たすことを強調しています。したがって、このようなすべての要因が、予測期間にわたってこの地域のこの市場の成長を後押ししています。
市場セグメンテーションの洞察
化合物別
2024年、GaN(窒化ガリウム) セグメントは収益面で米国の半導体デバイスを独占しました。このセグメントの成長は、GaNベースの半導体デバイスが従来のシリコンベースのデバイスよりも優れた性能を発揮できることに起因しています。高効率、広帯域幅、高電圧対応能力は、GaNベースの半導体デバイスをさまざまなアプリケーションに理想的なものにする利点の一部です。従って、このような要因がすべて、米国市場におけるこのセグメントの成長を後押ししています。
しかし、予測期間中はSiC（炭化ケイ素）セグメントが市場を支配すると予想されています。このセグメントの成長は、SiCベースの半導体が従来のシリコンベースの半導体よりも高い効率、強化された熱性能、小さな物理的フットプリントなどの利点を提供することに起因しています。このように、SiCベースの半導体は、次世代の電気自動車（EV）を可能にする上で重要な役割を果たすことができます。したがって、これらの要因が、予測期間を通じて米国市場のこのセグメントの成長を後押ししています。
主要企業のリスト：
- Samsung Semiconductor, Inc.
- Qorvo, Inc.
- Skyworks Solutions, Inc.
- Intel Corporation
- Texas Instruments Incorporated
- Broadcom Inc.
- WOLFSPEED, INC.
- Analog Devices, Inc.
- Microchip Technology Inc.
- MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
- GlobalFoundries Inc.
- GPD Optoelectronics Corp.
- NTE Electronics, Inc.
セグメンテーションの概要
米国半導体デバイス市場は、化合物、製品、用途に焦点を当てて分類されています。
化合物別
- GaN
- GaAs
- GaP
- GaSb
- シック
- その他
製品別
- LED
- オプトエレクトロニクス
- RFデバイス
- パワーエレクトロニクス
- その他
用途別
- 電子機器および消費財
- 航空宇宙および防衛
- 電気通信
- その他
無料サンプルを入手する 
この無料サンプルには、トレンド分析から推定・予測まで、さまざまなデータが含まれています。
最新レポート
お問い合わせ
-
- JAPAN : 03-6899-2648
-
- EMAIL : [email protected]
